關(guān)于半導(dǎo)體制造工藝使用的掩膜技術(shù)開發(fā)，英特爾和大日本印刷日前宣布，將把現(xiàn)有的合作關(guān)系擴展到32nm工藝（hp45）。具體來說就是，將在EUV（Extreme Ultraviolet，遠紫外）曝光掩膜技術(shù)的開發(fā)中進行合作。
2000年以后，英特爾和大日本印刷在180nm到45nm（hp65）半導(dǎo)體制造工藝的掩膜技術(shù)開發(fā)中進行了合作。根據(jù)此次的決定，在保持現(xiàn)有合作關(guān)系的同時，將進一步強化未來的合作。
作為現(xiàn)有ArF曝光的下一代技術(shù)，在國際半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)藍圖（ITRS）中十分看好EUV曝光技術(shù)。為了實現(xiàn)EUV曝光，英特爾和大日本印刷將通力合作，以便能在適當(dāng)?shù)臅r期提供掩膜技術(shù)。
